• Dysk SSD Samsung 990 PRO Heatsink 4TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7450/6900 MB/s)

Symbol: MZ-V9P4T0CW
Cena po zalogowaniu
Wpisz swój adres e-mail
Wysyłka w ciągu 24 godziny
Cena przesyłki 0
Odbiór osobisty 0
Kurier 0
Dostępność Brak towaru
Zostaw telefon
Rodzina dysków: 990 PRO

Pojemność dysku: 4 TB

Format dysku: M.2 2280

Typ dysku: SSD

Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak

Wsparcie dla technologii TRIM: Tak

Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe

Typ złącza: M.2 (NGFF)

Prędkość odczytu (max): 7450 MB/s

Prędkość zapisu (max): 6900 MB/s

TBW (ang. Total Bytes Written): 2400.0

Odczyt losowy: 1600000 IOPS

Zapis losowy: 1550000 IOPS

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h

Informacje dodatkowe: PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe, Samsung V-NAND TLC, Wymiary 80,15 x 25 x 8,88 mm (z radiatorem), Waga: Maks. 28,0 g, Pamieć podręczna: Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM, Szyfrowanie AES 256-bit (Klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (Dysk szyfrowany), Dopuszczalne napięcie: 3,3 V ± 5 %, Odporność na wstrząsy: 1,500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)

Gwarancja producenta [mies.]: 60
Gwarancja producenta [mies.]:
60
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Rodzina dysków:
990 PRO
Pojemność dysku:
4 TB
Format dysku:
M.2 2280
Typ dysku:
SSD
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Prędkość odczytu (max):
7450 MB/s
Prędkość zapisu (max):
6900 MB/s
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Odczyt losowy:
1600000 IOPS
Zapis losowy:
1550000 IOPS
TBW (ang. Total Bytes Written):
2400.0

Dane producenta

SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland

www.samsung.com/support

Osoba odpowiedzialna

SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland

www.samsung.com/support